汽車級擴(kuò)展高可靠性MRAM
2025-05-13 15:11:25
隨著嵌入式系統(tǒng)不斷挑戰(zhàn)可靠性和耐用性的極限,內(nèi)存技術(shù)必須跟上極端操作環(huán)境的步伐,最新的高可靠性PERSYST
MRAM為設(shè)計(jì)人員提供了一種穩(wěn)定、快速、可擴(kuò)展的靜態(tài)RAM或NOR flash替代方案,確保在汽車、航空航天和工業(yè)應(yīng)用中取得成功。
Everspin PERSYST MRAM因其高耐用性和可靠性而被廣泛應(yīng)用于關(guān)鍵存儲領(lǐng)域。作為其溫度范圍內(nèi)最快的MRAM,最新的PERSYST擴(kuò)展提供了下一代嵌入式系統(tǒng)所需的性能和耐用性。
EM064LX HR和EM128LX HR的工作溫度范圍為-40℃至+125℃,符合AEC-Q100 1級汽車應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)。
64Mb和128Mb的容量–針對關(guān)鍵任務(wù)系統(tǒng)進(jìn)行了優(yōu)化。
四通道SPI接口–行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)兼容性,易于集成。
與NOR閃存相比,寫入速度更快–降低實(shí)時(shí)應(yīng)用的系統(tǒng)開銷。
更簡單的架構(gòu)–無需擦除,提高了系統(tǒng)利用率。
EM064LX和EM128LX HR的工程樣品將在2025年6月,樣品可洽Everspin 代理英尚微電子。
本文關(guān)鍵詞:MRAM
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